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                                      真空傳輸平臺DIAGRAM 600

                                      關鍵字導讀: ETCH PVD PECVD MOCVD

                                      描述:一體化程度高,自動化程度高,擁有新松自主研發的真空機械手,真空預對準裝置及晶圓盒真空升降傳輸裝置,帶有迎合個性化設計的用戶可定制端口;

                                      簡介

                                      Introduction

                                      Diagram600晶圓傳輸平臺,符合集成電路工藝精度和凈化要求,并具有高精度、高效率、高潔凈度和高可靠性,是鏈接物料搬運系統與硅片處理系統的橋梁,能夠保證硅片在不受污染的條件下被準確安全的傳輸。在半導體前道高端設備中廣泛應用,對設備可靠性要求高。靈活的本地化、可定制化服務,快速響應的售后服務,以及敦實的技術實力,是我們的主要競爭力。推動了國內半導體產業鏈的進步,有效的支撐了國內設備商的發展。

                                      參數

                                      Parameter

                                      參數:

                                      Item

                                      Specification

                                      晶圓類型

                                      Wafer types

                                      SEMI standard   silicon wafers

                                      晶圓尺寸Wafer Size

                                      100mm,150mm,   200mm

                                      定位標記

                                      Alignment   Mark

                                      Notch &   Flat

                                      厚度thickness

                                      150mm wafer:   0.675mm±10%;

                                      200mm wafer:   0.75mm±10%

                                      Cassette類型

                                      Cassette   types

                                      configurable   for 150mm, 200mm SEMI Standard cassettes.

                                      傳輸平臺

                                      Transport Plane

                                      900 mm at VCE platform(SEMI-std)
                                        1100 mm per SEMI std E21-91 at Process Module side(9.5 mm above slot   centerline)

                                      晶圓取放精度

                                      Wafer placement repeatability

                                      0.2mm

                                      真空度Vacuum level

                                      rough pumping: 5 mTorr

                                      漏率Leak rate

                                      0.5 mTorr/minTest after 24 hours pump)  

                                       


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